30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7503TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 380pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Fall Time (t_f):** 15ns  

### **Package:**  
- **Type:** DPAK (TO-252)  
- **Mounting:** Surface Mount  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology** for low on-resistance  
- **Fast Switching Speed** for high-efficiency applications  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **Logic-Level Gate Drive** (compatible with 5V drive)  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Load Switching  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to Infineon's official documentation.

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package