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IRF7501TR from IR,International Rectifier

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16.113ms

IRF7501TR

Manufacturer: IR

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7501TR IR 7516 In Stock

Description and Introduction

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7501TR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 26A  
- **Power Dissipation (PD):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.065Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) – 2.0V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 480pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 120pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns  
- **Rise Time (tr):** 12ns  
- **Fall Time (tf):** 10ns  

### **Description:**  
The IRF7501TR is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power electronics applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for space-constrained applications.  

This information is based solely on the available technical data for the IRF7501TR MOSFET.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7501TR IRF 2000 In Stock

Description and Introduction

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7501TR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF).  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 26A  
- **Power Dissipation (PD):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.025Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns  
- **Rise Time (tr):** 15ns  
- **Fall Time (tf):** 20ns  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved performance in power conversion circuits.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7501TR IOR 1332 In Stock

Description and Introduction

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7501TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 140A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 560A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.3mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 2600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 380pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-current, low-voltage applications.  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  
- Robust and reliable for industrial and automotive applications.  

These details are based solely on the available specifications from the manufacturer.

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