IRF7501TR

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7501TR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) – 2.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 480pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Rise Time (t_r):** 12ns  
- **Fall Time (t_f):** 10ns  

### **Description:**  
The IRF7501TR is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power electronics applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for space-constrained applications.  

This information is based solely on the available technical data for the IRF7501TR MOSFET.

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package