20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7501 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and ruggedness.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for enhanced reliability in inductive load switching.  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt Ratings** to ensure robustness in demanding applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Package)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7501 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IRF)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 360pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Rise Time (t_r):** 20ns  
- **Fall Time (t_f):** 10ns  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRF7501 is an N-Channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management, DC-DC converters, and motor control applications.  

### **Features:**  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Low on-resistance  
- High current handling capability  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy specified  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7501 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRF7501  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 440pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- Available in TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7501 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF7501  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and low conduction losses  
- **Low Gate Charge (Q_G)** for fast switching performance  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-hole package)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management  
- Switching regulators  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.