IRF7501

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7501 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and ruggedness.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for enhanced reliability in inductive load switching.  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt Ratings** to ensure robustness in demanding applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Package)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package