Leaded 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7495TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7495TR  

### **Description:**  
The IRF7495TR is a dual N-channel MOSFET in a single package, designed for high-efficiency power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A per channel  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **R_DS(on) (Max):**  
  - 9.5mΩ at V_GS = 10V  
  - 11mΩ at V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W per channel  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** PQFN 5x6 (Dual MOSFET)  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Yes  

### **Features:**  
- Dual N-channel MOSFET in a single package  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- Suitable for synchronous buck converters and power management  
- High current-handling capability  

This information is based strictly on manufacturer datasheets and technical documentation.