HEXFET?Power MOSFET The IRF7495PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7495PBF  

### **Description:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Reduces switching losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Battery Protection Circuits  
- High-Current Switching  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7495PBF.