100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7495 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Key Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 210nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRF7495 is a **N-channel HEXFET® Power MOSFET** designed for high-current, low-voltage applications. It features low on-resistance and fast switching, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor drives, and synchronous rectification.

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high current handling.  
- **Ultra-Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Reduces switching losses in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Ensures reliable operation in switching circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

The device is available in a **TO-220AB package** for easy mounting and thermal management.  

For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official IR datasheet.