150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7494 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Descriptions and Features:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET (High-Efficiency MOSFET)  
- **Package:** DirectFET® (Shielded)  
- **Applications:** High-frequency switching applications, DC-DC converters, power management  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 168A  
- **R_DS(on) (Max):** 3.6mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Optimized for high-frequency switching  
- Low gate charge (Q_g) for improved efficiency  
- DirectFET® package provides superior thermal performance and reduced PCB footprint  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official documentation.

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7494 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (Infineon Technologies)  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Package:** PowerPAK SO-8 (5x6)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.8mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 6.5A)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at 25°C)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V gate drive signals.  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Reduces switching losses.  
- **Low Thermal Resistance:** Enhances thermal performance in compact designs.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power management, and battery protection circuits.  

For exact datasheet details, refer to the manufacturer's documentation.