200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7492TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7492TRPBF  

### **Description:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** PQFN (5x6mm)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.8mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High current handling capability  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.