200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7492 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 84A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- The IRF7492 is a **N-channel** MOSFET designed for high-current, low-voltage applications.  
- It features **low on-resistance (R_DS(on))** for efficient power handling.  
- The device is optimized for **switching applications** in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- It comes in a **TO-220AB** package for easy mounting and heat dissipation.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Fully characterized for linear mode operation.**  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7492.