80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7491TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7491TRPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 50A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 200A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  
### **Descriptions:**  
- The IRF7491TRPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching applications.  
### **Features:**  
- **Low RDS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 50A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
This information is sourced directly from the manufacturer's datasheet.