80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7491 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Descriptions and Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides high efficiency and low conduction losses.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for minimal power loss in switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power management, and synchronous rectification.  

This information is based solely on manufacturer datasheets and technical documentation.

80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7491 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF7491  

### **Description:**  
The IRF7491 is a **N-Channel Power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power management in various electronic systems.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 195A (at 25°C)  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** 1.1mΩ (typical at V_GS = 10V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Low Gate Drive Requirements**  
- **TO-220 Package (Through-Hole Mounting)**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Battery Management Systems  
- High-Current Switching Circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official IRF7491 datasheet.

80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package