80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7488 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 150A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.3mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 8500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 400pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Number of Pins:** 3  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation:** Ensures stable performance in various applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in automotive and industrial systems  
- High-current switching circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For precise details, always refer to the official datasheet from Infineon Technologies.

80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7488 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRF7488  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 160A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 640A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.2mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® MOSFET technology for high efficiency  
- Ultra-low on-resistance (R_DS(on))  
- Optimized for high current applications  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power supplies  
- Synchronous rectification  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR documentation.

80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package