Leaded 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7484QTR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) - 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 6400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 360pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Descriptions:**  
The IRF7484QTR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications, offering low on-resistance and high current handling. It is optimized for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power switching.  
- **High Current Capability:** Supports up to 120A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Thermally Enhanced Package:** PQFN design improves heat dissipation.  
- **Avalanche Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.