60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7478TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7478TRPBF  

### **Description:**  
The IRF7478TRPBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** Advanced TrenchFET® technology  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm (8-pin)  
- **Low Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Synchronous rectification  
- Motor control  
- Power management in computing and telecom systems  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7478TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 140A (continuous at 25°C)  
- **RDS(ON) (Max):** 1.7mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 330W (at 25°C)  
- **Package:** PQFN 5x6mm  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (RDS(ON)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for high-current, high-frequency switching.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in harsh conditions.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and battery management systems.