IRF7478

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7478 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.8mΩ (max at VGS = 10V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 4800pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 1400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 150pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF7478 is a **N-channel HEXFET® power MOSFET** designed for high-current, low-voltage applications.  
- It is optimized for **high efficiency and fast switching** in power management circuits.  
- The device is housed in a **TO-220 package**, providing good thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling capability** for power applications.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  

This information is based solely on manufacturer datasheets and technical documentation.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package