30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7477TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7477TR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** PQFN (5x6mm)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.7mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Optimized for low on-resistance and high current handling.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters and motor control.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 100A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Thermal Performance:** PQFN package offers excellent thermal dissipation.  
- **Avalanche Rated:** Provides robustness in rugged applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.