IRF7476

12V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7476 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **R_DS(on) (Max):** 1.7mΩ @ V_GS = 10V  
- **R_DS(on) (Max):** 2.2mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (Min) – 2.0V (Max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 6300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-hole package)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for high efficiency  
- **Fast Switching Speed** for improved performance  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Optimized Gate Charge** for reduced switching losses  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Synchronous Rectification  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

12V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package