100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7474TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7474TRPBF  

### **Description:**  
The IRF7474TRPBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is part of Infineon’s HEXFET® Power MOSFET series, optimized for low on-state resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Synchronous Rectification  

This information is sourced from Infineon’s official datasheet for the IRF7474TRPBF.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7474TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7474TRPBF  

### **Description:**  
The IRF7474TRPBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** Advanced Power MOSFET  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.7mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Synchronous Rectification  

### **Additional Notes:**  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Optimized for high-frequency switching  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications. For detailed performance curves and application notes, refer to the official Infineon documentation.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package