100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7474TR is a power MOSFET manufactured by IRF (International Rectifier). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IRF (International Rectifier)  
- **Part Number:** IRF7474TR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 130A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 520A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.4mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.1V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 9800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 3900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 110pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRF7474TR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for applications requiring fast switching and low conduction losses.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **High Current Capability:** Supports up to 130A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in demanding environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.