100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7474 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRF7474  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  

### **Electrical Characteristics:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.4mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 170nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 10500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 3500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  

### **Thermal Characteristics:**
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature Range (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**
- **Package Type:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Improved dv/dt capability  
- Fully avalanche rated  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7474 power MOSFET.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package