IRF7473TRPBF

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7473TRPBF is a dual N-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF7473TRPBF  
### **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
### **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A per MOSFET (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W per MOSFET (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 9.5mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 13A)  
  - 11mΩ (at V_GS = 4.5V, I_D = 8.7A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical at V_DS = 15V, V_GS = 4.5V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 70pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** PowerPAK® SO-8 (Dual)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Dual MOSFET Configuration:** Two N-channel MOSFETs in a single package for space-saving designs.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency switching applications.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package