100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7473TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7473TR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** PQFN (5x6)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.7mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) – 2.5V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF7473TR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-current applications.  
- It is optimized for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- The PQFN package offers low thermal resistance and high power density.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 100A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.