40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7470 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Description:**  
- The IRF7470 is a **N-Channel Power MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 100V  
- **Current Rating (I_D):** 44A (continuous at 25°C)  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 9.3 mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 11 mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Low Gate Charge (Q_g):** 63nC (typical)  
- **Low Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Mounting)  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- High-Speed Switching Circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IRF7470 datasheet.

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7470 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.023Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical at V_DS = 100V, I_D = 42A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF7470 is a high-voltage N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Low Gate Charge** for improved switching performance  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Fast Switching Speed**  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt Ratings**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

For exact performance characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.