IRF7470

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7470 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.023Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical at V_DS = 100V, I_D = 42A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF7470 is a high-voltage N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Low Gate Charge** for improved switching performance  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Fast Switching Speed**  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt Ratings**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

For exact performance characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package