40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7469 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDSS):** 40V  
- **Current Rating (ID):** 85A (continuous at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 340A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.8mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 120nC (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
### **Descriptions:**
- The IRF7469 is designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
### **Features:**
- **Low RDS(on):** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5V gate signals.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-220 Package:** Ensures good thermal performance.  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.