40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7468 is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF7468  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.2mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V gate drive signals.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power management, and synchronous rectification.  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package