30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7467 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRF7467  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 100A (continuous at 25°C)  
- **RDS(on) (Max):** 1.7 mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-current, low-voltage switching applications.  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power switching applications.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from the manufacturer.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7467 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (Infineon Technologies)  
- **Part Number:** IRF7467  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 60V  
- **Current Rating (ID):** 50A (continuous at 25°C)  
- **RDS(ON) (Max):** 7.5 mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2.0V (min) – 4.0V (max)  
- **Gate Charge (Qg):** 60 nC (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 200W (at 25°C)  
- **Package:** TO-220AB  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides high efficiency and low conduction losses.  
- **Low On-Resistance (RDS(ON)):** Enhances power efficiency in switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance:** Suitable for high-performance power conversion.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

The IRF7467 is commonly used in power management applications, DC-DC converters, motor control, and switching power supplies.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7467 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **R_DS(on) (Max):** 6.0 mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** TO-220AB  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power supplies  
- Synchronous rectification  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package