IC Phoenix logo

Home ›  I  › I27 > IRF7466TRPBF

IRF7466TRPBF from IRF,International Rectifier

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

15.625ms

IRF7466TRPBF

Manufacturer: IRF

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7466TRPBF IRF 8000 In Stock

Description and Introduction

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package **Manufacturer:** IRF (International Rectifier, now part of Infineon Technologies)  

**Part Number:** IRF7466TRPBF  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 240A  
- **RDS(on) (Max) @ VGS = 10V:** 1.4mΩ  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Operating Junction Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN (5x6mm)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Efficiency:** Low RDS(on) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Robust Design:** Avalanche energy rated for rugged performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and synchronous rectification.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7466TRPBF.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7466TRPBF IR 4431 In Stock

Description and Introduction

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7466TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF7466TRPBF is a dual N-channel MOSFET in a PowerPAIR® SO-8 package, designed for high-efficiency power management applications.  

### **Key Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Two independent N-channel MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):**  
  - **VGS = 4.5V:** 9.5mΩ (max)  
  - **VGS = 10V:** 6.5mΩ (max)  
- **High Current Handling:**  
  - **Continuous Drain Current (ID):** 12A per MOSFET (at 25°C)  
  - **Pulsed Drain Current (IDM):** 48A per MOSFET  
- **Voltage Ratings:**  
  - **Drain-to-Source Voltage (VDS):** 30V  
  - **Gate-to-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Low Gate Charge (Qg):** 13nC (typical)  
- **Fast Switching Performance:** Optimized for high-frequency applications.  
- **PowerPAIR® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in computing and telecom systems  
- Automotive power systems  

### **Package:**  
- **Type:** SO-8 (PowerPAIR®)  
- **Termination:** Lead (Pb)-free, RoHS compliant  

This information is strictly factual and derived from the manufacturer's datasheet.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips