High frequency DC-DC converters, Lead-Free The IRF7465PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF7465PBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is part of Infineon’s HEXFET Power MOSFET series, optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 45A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 180A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching due to low gate charge  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- Improved dv/dt capability for robustness  
- Lead-free and RoHS compliant  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation  

This information is sourced from Infineon’s official datasheet for the IRF7465PBF.