200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7464TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7464TRPBF  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 780A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2mΩ @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.1V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 10400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 3800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 1200pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Performance MOSFET:** Designed for high-efficiency power switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Robust Design:** Features Infineon’s advanced HEXFET® technology for reliability.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor drives, power supplies, and battery management systems.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7464TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7464TRPBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.8V (min), 2.4V (typ), 3.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 170pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
PQFN 5x6mm  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Optimized for high current applications  
- Fast switching performance  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Avalanche energy rated  
- Low gate charge for reduced drive losses  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management  
- Battery protection circuits  
- High-current switching applications  

This MOSFET is designed for high-performance power applications requiring low conduction losses and efficient thermal management.