200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7464 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF7464  

### **Description:**  
The IRF7464 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for low on-resistance and high switching efficiency.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating:** 40V  
- **Current Rating:** 60A (continuous drain current)  
- **RDS(ON) (Drain-Source On-Resistance):**  
  - 1.7 mΩ (max) @ VGS = 10V  
  - 2.2 mΩ (max) @ VGS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Package:** PQFN 5x6mm (Power QFN)  
- **Avalanche Energy Rated:** Yes  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications  
- **Low Gate Charge (Qg):** Enhances efficiency in switching applications  
- **Low Thermal Resistance:** Improves thermal performance  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power supplies  
- Synchronous rectification  
- Battery management  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IRF7464 datasheet.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7464 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRF7464 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient power management applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating:** 40V  
- **Current Rating:** 150A (continuous drain current)  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Typically 1.6mΩ at VGS = 10V  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in high-stress conditions  
- **Low Gate Charge (Qg):** Reduces switching losses  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals  
- **TO-220 Package:** Industry-standard through-hole package for easy mounting  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power supplies  
- Battery management systems  
- High-current switching circuits  

This information is strictly based on the manufacturer's specifications and does not include any additional guidance or recommendations.