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IRF7460TRPBF from IR,International Rectifier

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IRF7460TRPBF

Manufacturer: IR

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7460TRPBF IR 6510 In Stock

Description and Introduction

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7460TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7460TRPBF  

### **Description:**  
The IRF7460TRPBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.6mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Power Dissipation (PD):** 300W (at 25°C)  
- **Gate Charge (Qg):** 170nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 9200pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 2400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 110pF (typical)  
- **Avalanche Energy (EAS):** 1.1J  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** PQFN 5x6mm  
- **Termination:** Lead-Free (RoHS Compliant)  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed application guidelines, refer to the official datasheet from Infineon Technologies.

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