30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7458TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7458TR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 25A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 100A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Package:** SO-8 (D²PAK)  

### **Descriptions:**  
The IRF7458TR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Improved thermal resistance  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Optimized for synchronous buck converters and motor control  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to Infineon's official documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7458TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7458TR  

### **Description:**  
The IRF7458TR is a N-Channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V gate drive signals.  

This information is based on Infineon's datasheet and product documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package