30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7458 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **R_DS(on) (Max):** 1.8mΩ at V_GS = 10V  
- **R_DS(on) (Max):** 2.5mΩ at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 400pF  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 100mJ  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF7458 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-current applications.  
- It features a low on-resistance (R_DS(on)) and high current handling capability, making it suitable for power switching applications.  
- The device is optimized for synchronous buck converters, motor control, and other power management applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Current Capability:** Supports up to 100A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized gate charge for high-frequency operation.  
- **Avalanche Rated:** Provides ruggedness in inductive switching applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.