20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7457TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF7457TR  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  
### **Package:** PQFN 5x6 (5mm x 6mm)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.7mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for high efficiency and low conduction losses.  
- **Low R_DS(on):** Enhances power efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in demanding conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Applications:**  
- Synchronous rectification in DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in servers, telecom, and industrial systems  
- High-current switching applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product documentation.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7457TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7457TR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** PQFN 5x6 (8-pin)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 70A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
The IRF7457TR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling, making it suitable for high-efficiency switching in DC-DC converters, motor control, and battery management systems.

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency and reduces conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 70A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Thermal Performance:** PQFN package improves heat dissipation.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for reliable operation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

These details are based on the manufacturer's datasheet. For further technical information, refer to the official documentation from Infineon Technologies.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7457TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7457TR  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 8400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 1200pF  
- **Package:** PQFN 5x6mm  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Efficiency:** Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Robust Design:** Avalanche energy rated for reliability in harsh conditions.  
- **Advanced Packaging:** PQFN (Power Quad Flat No-Lead) for improved thermal performance.  
- **Applications:**  
  - DC-DC converters  
  - Motor control  
  - Power supplies  
  - Battery management systems  
  - Synchronous rectification  

This MOSFET is designed for high-current, high-efficiency power switching applications.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package