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IRF7457TR from IR,International Rectifier

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IRF7457TR

Manufacturer: IR

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7457TR IR 3660 In Stock

Description and Introduction

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7457TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF7457TR  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  
### **Package:** PQFN 5x6 (5mm x 6mm)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 320A  
- **RDS(on) (Max):** 1.7mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for high efficiency and low conduction losses.  
- **Low RDS(on):** Enhances power efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in demanding conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Applications:**  
- Synchronous rectification in DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in servers, telecom, and industrial systems  
- High-current switching applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7457TR IOR 373 In Stock

Description and Introduction

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7457TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7457TR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** PQFN 5x6 (8-pin)  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 70A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 280A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.7mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
The IRF7457TR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling, making it suitable for high-efficiency switching in DC-DC converters, motor control, and battery management systems.

### **Features:**  
- **Low RDS(on):** Enhances efficiency and reduces conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 70A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Thermal Performance:** PQFN package improves heat dissipation.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for reliable operation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

These details are based on the manufacturer's datasheet. For further technical information, refer to the official documentation from Infineon Technologies.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7457TR IR 2700 In Stock

Description and Introduction

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7457TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7457TR  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 300A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.8mΩ (at VGS = 10V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 8400pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 2800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 1200pF  
- **Package:** PQFN 5x6mm  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Efficiency:** Low RDS(on) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Robust Design:** Avalanche energy rated for reliability in harsh conditions.  
- **Advanced Packaging:** PQFN (Power Quad Flat No-Lead) for improved thermal performance.  
- **Applications:**  
  - DC-DC converters  
  - Motor control  
  - Power supplies  
  - Battery management systems  
  - Synchronous rectification  

This MOSFET is designed for high-current, high-efficiency power switching applications.

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