20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7456TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Descriptions:**  
- The IRF7456TR is a dual N-channel MOSFET in a PQFN 5x6 package.  
- It is designed for high-efficiency power management applications.  
- Suitable for synchronous buck converters and other DC-DC applications.  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Two MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 4.5 mΩ (typical) at VGS = 10 V for the high-side FET.  
  - 2.7 mΩ (typical) at VGS = 10 V for the low-side FET.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Gate Charge (Qg):** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 50 A (per MOSFET)  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1 W (per MOSFET)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** PQFN 5x6 (Power Quad Flat No-Lead)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.