30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7455TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7455TRPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) – 2.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Descriptions and Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides low on-resistance and high efficiency.  
- **Optimized for High Current Applications:** Suitable for power switching in DC-DC converters, motor control, and battery management.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures reliability under high-energy conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Surface-Mount Package (PQFN):** Compact design for space-constrained applications.  

This MOSFET is commonly used in power supply circuits, synchronous rectification, and high-current switching applications.