250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7453TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7453TRPBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 2.3mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** D²PAK (TO-263)  
- **Pins:** 3  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7453TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7453TRPBF  

### **Description:**  
- N-Channel Power MOSFET  
- Designed for high-efficiency power management applications  
- Suitable for switching and amplification in power circuits  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 10V:** 2.3mΩ  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 4.5V:** 3.0mΩ  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (Typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF (Typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF (Typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 350pF (Typical)  
- **Operating Junction Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** PQFN 5x6mm  
- **Termination:** Surface Mount (SMD)  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Optimized for synchronous buck converters and motor control applications  
- Enhanced thermal performance due to advanced packaging  

This MOSFET is commonly used in power supplies, DC-DC converters, motor drives, and other high-current switching applications.