HEXFET Power MOSFET The IRF7452PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF7452PBF is a dual N-channel MOSFET in a PowerPAIR® 8-pin SOIC package, designed for high-efficiency synchronous buck converter applications.  

### **Key Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Combines a high-side and low-side MOSFET in a single package.  
- **Voltage Ratings:**  
  - **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
  - **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Current Ratings:**  
  - **Continuous Drain Current (I_D):** 13A (high-side), 19A (low-side)  
  - **Pulsed Drain Current (I_DM):** Higher than continuous ratings (specific values depend on conditions).  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - **High-Side MOSFET:** 9.5mΩ (typical at V_GS = 10V)  
  - **Low-Side MOSFET:** 4.5mΩ (typical at V_GS = 10V)  
- **Gate Charge (Q_G):**  
  - **High-Side MOSFET:** 13nC (typical at V_GS = 10V)  
  - **Low-Side MOSFET:** 28nC (typical at V_GS = 10V)  
- **Fast Switching Performance:** Optimized for high-frequency DC-DC converters.  
- **Package:** PowerPAIR® 8-pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit).  
- **Thermal Performance:** Low thermal resistance for efficient heat dissipation.  

### **Applications:**  
- Synchronous buck converters  
- Voltage regulator modules (VRMs)  
- High-efficiency DC-DC power supplies  
- Point-of-load (POL) converters  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF7452PBF. For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official datasheet.