100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7452 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **IRF7452 Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 41A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V, I_D = 20A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  

### **Descriptions and Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation:** Enhances performance in linear applications.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Package:**  
- **TO-220AB:** Standard through-hole package for easy mounting.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR documentation.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7452 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (Infineon Technologies)**  

### **Part Number:**  
- **IRF7452**  

### **Description:**  
- The IRF7452 is a **dual N-channel MOSFET** in a single package, designed for high-efficiency power management applications.  

### **Key Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Two independent N-channel MOSFETs in one package.  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 5.5A per channel (at 25°C)  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 45mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 60mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Package:** 8-Pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (4.5V or higher).  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Power management in portable devices  
- Motor control  
- Load switching  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7452. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.