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IRF7451 from IOR,International Rectifier

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IRF7451

Manufacturer: IOR

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7451 IOR 50 In Stock

Description and Introduction

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7451 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its IOR (Input/Output Resistance) specifications, descriptions, and features:

### **Descriptions and Features:**
1. **Type:** N-Channel Power MOSFET  
2. **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
3. **Voltage Rating:** 30V  
4. **Current Rating:** 13A (continuous drain current)  
5. **RDS(ON) (Drain-Source On-Resistance):**  
   - 8.0 mΩ (max) @ VGS = 10V  
   - 10 mΩ (max) @ VGS = 4.5V  
6. **Gate Charge (Qg):** 22nC (typical)  
7. **Input Capacitance (Ciss):** 1400pF (typical)  
8. **Output Capacitance (Coss):** 500pF (typical)  
9. **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 70pF (typical)  
10. **Avalanche Energy (EAS):** 120mJ  
11. **Fast Switching Speed:** Optimized for high-efficiency power conversion  
12. **Low Gate Drive Requirements:** Suitable for low-voltage drive circuits  
13. **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Applications:**
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management in Computing & Telecom  
- Synchronous Rectification  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7451 MOSFET.

Application Scenarios & Design Considerations

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7451 IR 600 In Stock

Description and Introduction

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7451 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRF7451 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating:** 30V  
- **Current Rating:** 100A (continuous drain current)  
- **RDS(on):** 3.7mΩ (typical at VGS = 10V)  
- **Gate Charge (Qg):** 100nC (typical)  
- **Avalanche Energy Rated:** Yes  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Drive Requirements**  
- **TO-220 Package**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Synchronous Rectification  

### **Additional Specifications:**  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

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