450V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF744 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (Infineon Technologies)  
### **Part Number:** IRF744  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.013Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Switching Speed:** Fast switching due to low gate charge  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy specified  
- Logic-level gate drive compatible  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-hole package)  

This MOSFET is commonly used in power management, motor control, and switching applications.  

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450V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package