-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7433 is a power MOSFET from Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF7433 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications, including motor control, DC-DC converters, and synchronous rectification. It features low on-resistance and high current handling capability.

### **Key Features:**  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 100A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against transient voltage spikes.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

For detailed datasheet information, refer to the official Infineon documentation.