Leaded 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7413ZTR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.35V (min) to 2.35V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 180pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

### **Descriptions:**
- The IRF7413ZTR is a **N-channel MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features **low on-resistance** and **high current handling** capability, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  
- The device is **lead-free** and **RoHS compliant**.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (42A continuous).  
- **Fast switching performance** for efficient power conversion.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Optimized gate charge** for reduced switching losses.  
- **Thermally enhanced package** (D²PAK) for better heat dissipation.  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.