30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7413TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Descriptions:**  
- The IRF7413TR is a **N-channel** MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for **low gate charge** and **low on-resistance (RDS(on))**, making it suitable for high-frequency switching.  
- The device is housed in a **D2PAK (TO-263)** surface-mount package for improved thermal performance.  

### **Features:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 30A  
- **RDS(on) (Max):** 3.5 mΩ at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Power Dissipation (PD):** 110W  
- **Low Gate Charge (Qg):** 30nC (typical)  
- **Avalanche Energy Rated (EAS)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **100% Rg and UIS Tested**  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, and power management applications**.  

(Note: Specifications are based on Infineon's datasheet for the IRF7413TR.)

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7413TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7413TR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** SO-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  

### **Descriptions:**
- The IRF7413TR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  
- The device is optimized for high-efficiency power conversion in DC-DC converters, motor control, and load switching applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Ensures ruggedness under transient conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V gate drive signals.  

This information is based solely on manufacturer datasheets and technical documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7413TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF7413TR  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 43A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 170A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5 mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for reliable performance in rugged conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V gate drive signals.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power management, and other high-current switching circuits.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7413TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7413TR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 10A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 12mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Gate Charge (Qg):** 10nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**  
The IRF7413TR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge (Qg):** Reduces drive requirements and switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Surface-Mount Package (SO-8):** Compact and suitable for automated assembly.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.