30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package The IRF7413QPBF is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF7413QPBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 23nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  

### **Package:**  
- **Type:** PQFN (5x6mm)  
- **Pin Count:** 8  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- Improved thermal performance due to PQFN package  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in computing and telecom  
- Synchronous rectification  

This information is based on the manufacturer’s datasheet and product documentation.