30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7413A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR)  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 52A  
- **Power Dissipation (PD):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 9.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides low conduction losses and high efficiency.  
- **Optimized for High-Speed Switching:** Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes power loss and improves thermal performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness under transient conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  
- **Package Type:** TO-220AB (Through-Hole)  
These details are based on the manufacturer's datasheet for the IRF7413A MOSFET.