IRF740AS

400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF740AS is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key IR specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.55Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 70pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**
The IRF740AS is a N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 400V V_DSS rating  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching  
- **TO-220AB Package:** Industry-standard through-hole package  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhanced performance in high-speed circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package