HEXFET Power MOSFET The IRF7404PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:
### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 40A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 38W (at 25°C)  
- **RDS(on) (Drain-Source On-Resistance):**  
  - 0.028Ω (max) at VGS = 10V  
  - 0.036Ω (max) at VGS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 44ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
### **Package:**  
- **TO-220AB (Through-Hole)**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  
### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for high efficiency and low switching losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances power efficiency and reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 4.5V gate-source voltage.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other switching applications.  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet.