20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7402 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual details about its IOR (Input/Output Ratings) specifications, descriptions, and features:

### **Specifications (IOR - Input/Output Ratings):**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 21A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  

### **Descriptions:**  
- The IRF7402 is an N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- The device is housed in a TO-220AB package for efficient thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in transient conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (5V).  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Reduces switching losses.  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the IRF7402 MOSFET.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package