20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7401TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7401TR  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Technology:** MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.028Ω @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (Min) to 2V (Max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 580pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**  
- The IRF7401TR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- It is optimized for power management in DC-DC converters, motor control, and load switching circuits.  
- The device features low on-resistance (R_DS(ON)) for improved efficiency in power applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(ON):** Enhances power efficiency by minimizing conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (as low as 4.5V).  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.